2017年10月25日，据台湾媒体Digitimes报道：从2009年开始算起，中国研究团队一路攻坚克难，国产首套90纳米高端光刻机已于近期第一次成功曝光。2022年左右有望完成验收。这意味着，中国半导体材料和设备（工艺技术）产业又向前跨出了关键一大步。光刻机被全球业界人士们称为“工业皇冠明珠”。而事实上，中国科研和工程人员们也都有志在未来，从“工业皇冠”上拿到这颗“明珠”。

2017年10月25日，中科院微电子所所长叶甜春在上海IC China高峰论坛上向他人表示：中国科研团队要研发先进半导体设备，实则是因为，仅在国内，半导体制造（技术）产业要能稳健发展下去，材料和设备等供应链体系必须不断壮大起来。到了今天，中国研究团队在刻蚀工艺、薄膜和溅镀等方面都已取得突破性进展，但在研发高端光刻机方面仍然面临一系列技术难题。

Digitimes在最新一篇报道中如是阐述：“他（叶甜春）指出，中国首套光刻机曝光系统研发，可以说是目前是全世界难度最高的超精度技术，尤其在超精密光学领域，需要关键技术自主研发。而当前中国已经在此领域取得初步突破。”

中国首套90纳米高端光刻机，是由两个团队联合研发而成。一个团队是长春光学精密机械和物理研究所、应用光学国家重点实验室，另一个团队是中科院上海光学精密机械研究所。长春光学精密机械和物理研究所、应用光学国家重点实验室负责研发物镜系统，中科院上海光学精密机械研究所负责研发照明系统。2017年7月，这套国产90纳米高端光刻机首次曝光即告成功。后再到2017年10月，首个国产曝光光学系统“在整机环境下通过验收测试”。

同一天，中国科技部原副部长，02专项光刻机工程指挥部组长曹健林在本届上海IC China高峰论坛上向他人说到：中国半导体关键材料和设备产业才刚刚起步，希望中国研究团队在今后研发光刻机过程中继续攻克难关，从而从“工业皇冠”上拿到那颗“明珠”。后面，中国研究人员们还将推进到28nm节点技术研发，2020年就该有与之对应工程样品问世。而且，中国研究团队当前“走通了”EUV（极紫外光）原理系统，预计2018年开始主攻EUV 53波长机台。

这里不妨再引用Digitimes在这篇最新报道中一段原话：“曹健林称，光刻机的研发过程严格按照里程碑节点进行控制与设计，并建立综合设计、加工、镀膜、装配、测试、装调全工艺过程的像质预测模型，2015年7月已经完成装配，其后展开物镜测试台的精度提升工作；2016年9月物镜系统已经交付，整个大硅片都已经进行分布式测量；2017年7月首次曝光成功；2017年10月曝光光学系统在整机环境下通过验收测试。”

当下，中国半导体及其相关行业人士们有关注和热议着这么三个全球性行业话题：

第一，存储器价格持续飞涨，给半导体及其相关行业造成不小影响。从2016年7月到2017年7月，存储器价格一路狂涨，三星作为行内最大存储器研发和制造厂商，三星在2017年第2季度营收因此能赶超了英特尔。DRAM存储器价格在一年间翻了一倍多，NAND闪存价格也一直大涨。由于在半导体市场总规模中，存储器市场规模占比达四分之一。所以存储器价格涨不停，自然会对整个半导体及其相关行业带来很大影响。

第二，半导体行业中各主要厂商间竞争加剧。比如，三星2017年上半年就对自有半导体业务投下110亿美元巨资，英特尔在2017年正式量产10纳米FinFET制程工艺，SK海力士宣布增加DRAM存储器产能，台积电近期也已定案未来3纳米制程工厂设在台湾。

第三，中国厂商们想要从国外收购高科技厂商，从而来助推中国半导体产业发展速度，是不太符合现实想法。比如，峡谷桥曾经很是愿意高价收购FPGA芯片厂商莱迪斯半导体，但终究还遭到美国当局高层人员否决。无论国内，还是国外业者们单从这一个案例便可悟出，中国半导体产业要能稳健发展并壮大，唯有中国科技工作者们自主攻关一系列关键技术。