多晶硅是一种重要的材料，广泛应用于光伏、半导体、太阳能等领域。由于多晶硅具有优良的电子特性、光电转换效率高、化学稳定性好等等特点，因此受到各种应用领域的青睐。同时，多晶硅也是一种非常纯净的材料，因为它的生产过程需要极高的纯度。在多晶硅的生产过程中，成份检测是非常重要的环节，因为不同成份的夹杂会对多晶硅的性能和品质产生极大的影响，因此需要有一套准确可靠的成份检测方法。
多晶硅的主要成份是硅（Si），此外还可能存在微量的夹杂元素（如Al、Fe、Cu等）。因此，成份检测的主要目标是测量硅和夹杂元素的含量。目前，常见的多晶硅成份检测方法有以下几种：
1. 光谱分析法
光谱分析法是一种非常常用的成份检测方法。它通过测量材料在特定波长下的吸收光谱，从而推算出材料的成份和含量。常见的光谱分析法有紫外光吸收光谱、荧光光谱、原子吸收光谱等。这些方法可以快速、准确地测量多晶硅中的硅和夹杂元素的含量。
2. 氢化物发生法
氢化物发生法是一种常用的化学分析方法。它通过将多晶硅和酸处理生成氢气，再与铜粉反应生成气态金属铜，从而测量硅和夹杂元素的含量。这种方法准确可靠，但是需要多步处理，并且使用的是有毒有害的氢气，操作要求较高。
3. X射线荧光分析法
X射线荧光分析法是一种利用X射线射入多晶硅中，同时测量探测器中产生的荧光光谱来测量成份含量的方法。这种方法比较快速、准确，而且不需要摧毁样品，可以重复使用。但是，该方法需要高质量的设备和高技术的操作。
综合来看，多晶硅成份检测是非常重要的环节，可以通过光谱分析法、氢化物发生法、X射线荧光分析法等多种方法进行。在实际应用中，需要根据标准要求和实际情况选择合适的检测方法，确保多晶硅的质量和性能达到要求。